AIXTRON SE

  • WKN: A0WMPJ
  • ISIN: DE000A0WMPJ6
  • Land: Deutschland

Nachricht vom 16.12.2020 | 11:40

EpiWorld qualifiziert AIXTRON G5 WW C-Anlage für die SiC-Produktion / AIXTRONs neue SiC-Plattform erfüllt die hohen Anforderungen bei der Produktionsqualifizierung / EpiWorld baut Epitaxie-Strukturen für SiC-Leistungsbauelemente auf


DGAP-Media / 16.12.2020 / 11:40

EpiWorld qualifiziert AIXTRON G5 WW C-Anlage für die SiC-Produktion

AIXTRONs neue SiC-Plattform erfüllt die hohen Anforderungen bei der Produktionsqualifizierung / EpiWorld baut Epitaxie-Strukturen für SiC-Leistungsbauelemente auf

Herzogenrath, 16. Dezember, 2020 - AIXTRONs neue SiC-Plattform hat die Produktionsqualifizierung von Epiworld International Co., Ltd. erfolgreich abgeschlossen. Jetzt kann EpiWorld mit der innovativen AIX G5 WW C-Anlage die Großserienproduktion von SiC-Epitaxie-Produkten am neuen Produktionsstandort in Xiamen aufnehmen. Die VPE-Anlage (Gasphasenepitaxie) von AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem der weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, ist mit der neuesten Planeten-Reaktor(R)-Plattform von AIXTRON für die Herstellung von 8x150 mm Epi-Wafern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) ausgestattet.

EpiWorld, ein auf dem Weltmarkt führendes SiC-Epitaxie-Serviceunternehmen mit Sitz in China, will seine Produktionskapazitäten weiter ausbauen, um die steigende Nachfrage der Kunden zu befriedigen. Das Unternehmen hat bereits Produktionslinien für 4- und 6-Zoll-SiC-Epi-Wafer zur Herstellung von 650-Volt-, 1.200-Volt- und 1.700-Volt-Leistungsbauelementen fertiggestellt. Das kürzlich aufgebaute Fertigungszentrum bietet Platz für eine schnelle Erweiterung auf 400.000 6-Zoll-Epi-Wafer pro Jahr. EpiWorld hat derzeit eine Kapazität von über 60.000 Stück jährlich.

Epi-Wafer auf höchstem Qualitätsniveau auf neuer SiC-Plattform

"In den vergangenen Jahren haben wir uns als führender Lieferant von SiC-Epi-Wafer für Leistungsbauelemente bei verschiedenen Anbietern im Automobilsektor qualifiziert und verfügen daher über eine starke Präsenz in einer der anspruchsvollsten Branchen weltweit. Da wir und unsere Kunden hohe Qualitätsansprüche haben, vertrauen wir auf AIXTRONs bewährte Anlagentechnologie und sind bereit, mit der AIX G5 WW C in die Großserienproduktion unserer Bauelemente auf Basis von SiC-Epi-Wafer einzusteigen", sagt Dr. Feng, General Manager von EpiWorld.

Dr. Feng fügt hinzu: "Der Reaktor in der AIX G5 WW C-Anlage von AIXTRON für SiC-Epi-Wafer kombiniert die Leistung einer Single-Wafer-Anlage mit den Kostenvorteilen eines Multi-Wafer-Reaktors. Die Anlage garantiert EpiWorld den branchenweit höchsten Durchsatz bei niedrigsten Produktionskosten und ermöglicht gleichzeitig eine hervorragende Produktionsqualität."

Megatrends wie die E-Mobilität ermöglichen

Der Markt für SiC-Epi-Wafer für die Leistungselektronik wächst schnell. Der hohe Wirkungsgrad von Bauelementen aus Siliziumkarbid ermöglicht Energieeinsparungen, Wärmereduzierung, Gewichts- und Systemgrößenreduzierung und dadurch insgesamt niedrigere Systemkosten. Dies prädestiniert sie für den Einsatz in Bereichen wie Elektrofahrzeuge (EVs), EV-Ladestationen und Anwendungen im Segment der erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftumrichter.

"Wir freuen uns, den wichtigen Meilenstein der Produktionsqualifizierung bei einem der führenden Epitaxie-Unternehmen mit unserer neuen SiC-Plattform zu erreichen, um die weitere Kommerzialisierung von Siliziumkarbid zu beschleunigen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing Power Electronics der AIXTRON SE. "Unser Kunde EpiWorld ist gut aufgestellt, um den schnell wachsenden Markt für SiC-Leistungsbauelemente in der chinesischen Automobilindustrie und darüber hinaus zu adressieren. Die erweiterten Produktionskapazitäten bei EpiWorld werden die Entwicklung zahlreicher Anwendungen im Segment High-End-Leistungselektronik unterstützen, die Megatrends wie E-Mobilität oder erneuerbare Energien bedienen."

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Ansprechpartner
Guido Pickert
Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation
TELEFON +49 (2407) 9030-444
E-MAIL g.pickert@aixtron.com

Rita Syre
Senior PR Manager
TELEFON +49 (2407) 9030-3665
MOBIL +49 (162) 269 3791
E-MAIL r.syre@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC- und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Über EpiWord

Epiworld International Co., LTD ist ein Privatunternehmen mit Sitz in der Stadt Xiamen, China. Das Unternehmen ist ein Joint Venture mit Investoren aus den USA, Japan und China. Es verfügt über mehrere, modernste Epitaxie-Anlagen für die 4"- und 6"-SiC-Epitaxie, automatische Fehlererkennung und Mapping-Systemen in einem Reinraum der Klasse 100. Das Unternehmen hat sich zum Ziel gesetzt, die führende SiC-Epitaxie-Service-Foundry auf dem Weltmarkt zu sein und die hochwertigsten Epitaxie-Wafer mit dem wettbewerbsfähigsten Preis in der kürzesten Lieferzeit zu liefern. Als reine SiC-Epitaxie-Service-Foundry bietet EpiWorld standardmäßige 4H-SiC-Epitaxiewafer von 4" und 6" für Schottky-Dioden, MOSFETs, JFETs und BJTs über einen weiten Spannungsbereich für grüne Energiesysteme wie Solar-Wechselrichter, Windparks, Hybrid- und Elektrofahrzeuge und zahlreiche andere energieeffiziente Systeme. EpiWorld bietet auch kundenspezifische Wafer für IGBTs, GTO-Thyristoren und F&E-Strukturen über einen breiteren Spannungsbereich für Anwendungen in Leistungsumwandlungssystemen mit mittleren bis sehr hohen Spannungen.

Weitere Informationen sind verfügbar auf der Unternehmenswebseite: www.epiworld-cn.com

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.



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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

16.12.2020 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG.
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